Transistorer

C(tum): 1100pF. Kostnad): 510pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 670pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 62.4A. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Ekvivalenta: FQD19N10LTM. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 800pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 30N06L. Pd (effektförlust, max): 44W. Resistans Rds På: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 220pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FQD7N10L. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.258 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funktion: Låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP12N60C. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 70 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 280 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 225W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1

C(tum): 345pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 72 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 2.07g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1800pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växlingshastighet. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1580pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 195W. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Spec info: Låg grindladdning (typiskt 43nC). G-S Skydd: NINCS

C(tum): 850pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 600pF. Kostnad): 165pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 78 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.078 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 19A. Pd (effektförlust, max): 139W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkoppling, td(on)15ns, td(off)135ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET)

C(tum): 1150pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 127W. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 510pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 85W. Resistans Rds På: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1400pF. Kostnad): 425pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 98 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 146W. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2500pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 182A. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 210W. Resistans Rds På: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1540pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06L. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 121W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1

C(tum): 515pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: förbättringsläge effektfälteffekttransistor . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 15nC, låg Crss 6,5pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1420pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 27nC, låg Crss 10pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3170pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 175 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET® MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (effektförlust, max): 205W. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 45nC, Låg Crss 14pF

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 9.5A. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.36 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 20nC, Låg Crss 40,5pF

C(tum): 1570pF. Kostnad): 166pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 144 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 44nC, låg Crss 18pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1515pF. Kostnad): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 24 ns. Teknik: QFET ® FRFET ® MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 43nC, låg Crss 20pF. G-S Skydd: NINCS