FQP50N06L

FQP50N06L. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06L. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 121W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.