Transistorer

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MOS-N-FET. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Antal terminaler: 3. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 200V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: 0.3us

Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70MHz. Kollektorström: 500mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 800mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N1893. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 70 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. FT: 8 MHz. Funktion: S-L. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 25pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2222A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V

C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 0.8A. obs: komplementär transistor (par) 2N2907A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2222A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Konditioneringsenhet: 5000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: Transistor för förstärkare. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 0.6A. Märkning på höljet: 2N2222A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 25 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( BULK Pack ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V

Motstånd B: ja. BE-diod: NPN-transistor. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-18. Kostnad): TO-18. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 500 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 0.2A. Ic(puls): 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 0.6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 0.6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2905A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: förstärkare, switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 0.6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.6A. obs: >40. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2907A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 400mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: VHF förstärkare

C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Hfe 100. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 0.8A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3019. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 7V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 7V

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 60V. Kollektorström: 15A. Effekt: 115W. Hölje: TO-3

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Funktion: Ljudförstärkare linjär och switchande. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "epitaxial-bas planar technology". Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Funktion: Ljudförstärkare linjär och switchande. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "epitaxial-bas planar technology". Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 115W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ2955. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3055G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 115W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C