N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MOS-N-FET. Antal terminaler: 3. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

N-kanals transistor, 20mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 20mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Funktion: VHF/RF-förstärkare. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (max): 9mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 4.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 3.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 7V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (max): 16mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 2250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 53 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 4mA. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 8V. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (max): 5mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. C(tum): 5pF. Kostnad): 2pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: J-FET. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: VHF/UHF, RF-förstärkare

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-46, 20V, 10mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-46. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6550. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

N-kanals transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): O-92Ammo-Pack. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Vikt: 0.18g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 60pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Vikt: 0.18g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(tum): 50pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MOSFET-transistor med liten signal. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 702. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.210A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K72. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 2.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.37W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 3.2 Ohms. Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 22pF. Kostnad): 11pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K72. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 400mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Motorstyrning, Power Management. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.115A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 72. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 580pF. Kostnad): 86pF. Kanaltyp: N. Funktion: Drivrutin för plasmaskärm. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 87 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 540V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 230A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 75 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (max): 2.5mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. IDss (min): 2.5mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Funktion: HF-förstärkning

N-kanals transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8.5 ns. Td(på): 4 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V, 8A, 300uA, 1.5 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 1000V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Silicon N Channel Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 3.5V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Märkning på höljet: K1120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: DC-DC-omvandlare och motordrivningsapplikation. Vikt: 4.6g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 780pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 80A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 32 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 40W

N-kanals transistor, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: V-MOS-L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(tum): 1400pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 500V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K1246. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 180 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-3PN 13-16A1A. Spänning Vds(max): 1400V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högspänningsomkoppling. Id(imp): 10A. Pd (effektförlust, max): 240W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 3.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.5V. Avloppsskydd: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Spec info: Logiknivåkompatibel