N-kanals transistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V

N-kanals transistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
327.73kr
5-9
303.37kr
10-24
280.54kr
25+
257.70kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 23A. Kanaltyp: N. Kostnad): 200pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 100W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 300 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: V-MOS. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK1217
29 parametrar
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
1.5 Ohms
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
TO-3PF
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1400pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Low Driving Power High Speed Switching
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
23A
Kanaltyp
N
Kostnad)
200pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
100W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
300 ns
Td(på)
50 ns
Teknik
V-MOS
Trr-diod (Min.)
1000 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric