N-kanals transistor 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

N-kanals transistor 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
3.99kr
5-49
3.39kr
50-99
3.03kr
100-199
2.72kr
200+
2.27kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 332

N-kanals transistor 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 60pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 0.5A. Kanaltyp: N. Kostnad): 25pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 2n7000. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 10 ns. Td(på): 10 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Vikt: 0.18g. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

2N7000-ONS
27 parametrar
ID (T=25°C)
0.2A
Idss (max)
1000uA
Resistans Rds På
5 Ohms
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
60pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
0.5A
Kanaltyp
N
Kostnad)
25pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
2n7000
Pd (effektförlust, max)
0.35W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
10 ns
Td(på)
10 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
0.8V
Vikt
0.18g
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2N7000-ONS