N-kanals transistor 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V

N-kanals transistor 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
151.60kr
5-9
140.37kr
10-24
126.79kr
25+
118.49kr
Antal i lager: 5

N-kanals transistor 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal terminaler: 3. C(tum): 580pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Drivrutin för plasmaskärm. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Ic(puls): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kollektorström: 30A. Kostnad): 86pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Td(av): 120ns. Td(på): 87 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Panasonic. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
2PG001
26 parametrar
Ic(T=100°C)
30A
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220D-A1
Kollektor-/emitterspänning Vceo
300V
Antal terminaler
3
C(tum)
580pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Drivrutin för plasmaskärm
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5.5V
Grind/sändarspänning VGE
30 v
Ic(puls)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kollektorström
30A
Kostnad)
86pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Pd (effektförlust, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
High speed hall time--tf=200nS(typ)
Td(av)
120ns
Td(på)
87 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Panasonic