N-kanals transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-kanals transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
137.65kr
5-9
127.46kr
10-24
115.12kr
25+
111.70kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager
Ekvivalens tillgänglig

N-kanals transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 780pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 120W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(av): 200 ns. Td(på): 32 ns. Teknik: V-MOS. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Hitachi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:26

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK1170
26 parametrar
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.27 Ohms
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N MOSFET transistor
G-S Skydd
ja
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
780pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
120W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Spec info
High speed switching Low drive current
Td(av)
200 ns
Td(på)
32 ns
Teknik
V-MOS
Trr-diod (Min.)
500 ns
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Hitachi

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK1170