N-kanals transistor IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

N-kanals transistor IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
74.10kr
5-24
67.47kr
25-49
61.89kr
50-99
58.12kr
100+
52.53kr
+5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 95

N-kanals transistor IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Hölje: TO-247. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 210nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 500V. Dräneringsström: 20A, 13A. Effekt: 280W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 870pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 0.27 Ohms. Pd (effektförlust, max): 280W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 110 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Tillverkarens märkning: IRFP460PBF. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP460
39 parametrar
Hölje
TO-247
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.27 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
210nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
500V
Dräneringsström
20A, 13A
Effekt
280W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
870pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd mot tillstånd
0.27 Ohms
Pd (effektförlust, max)
280W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
110 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R
Tillverkarens märkning
IRFP460PBF
Trr-diod (Min.)
570 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRFP460