N-kanals transistor 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 85 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: V-MOS-L. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03