I lager
Toshiba
N-kanals transistor 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V
Produktreferens : 2SK1213
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1+Bästa pris | 109.88 kr | — |
Teknisk beskrivning av produkten (2SK1213):
Spänning Vds(max): 600V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 8A. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Teknik: V-MOS-L. G-S Skydd: nej. Td(av): 85 ns. Td(på): 40 ns. Antal per fodral: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 1.5V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Trr-diod (Min.): 460 ns. Pd (effektförlust, max): 125W. Avloppsskydd: diod. Port-/källspänning Vgs: 20V