N-kanals transistor 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V

N-kanals transistor 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
107.67kr
5-9
94.40kr
10-19
83.98kr
20+
76.22kr
Antal i lager: 6

N-kanals transistor 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220D-A1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 540V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1200pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Ic(puls): 230A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Kostnad): 125pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Td(av): 200 ns. Td(på): 75 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Panasonic. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
2PG011
26 parametrar
Ic(T=100°C)
40A
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220D-A1
Kollektor-/emitterspänning Vceo
540V
Antal terminaler
3
C(tum)
1200pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5.5V
Grind/sändarspänning VGE
30 v
Ic(puls)
230A
Kanaltyp
N
Kollektorström
40A
Kostnad)
125pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.95V
Pd (effektförlust, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
High-speed switching--tf=185ns (typ)
Td(av)
200 ns
Td(på)
75 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Panasonic