IGBT-moduler

IGBT-modul. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 21.8W. RoHS: ja. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 685 ns. Td(på): 605 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

IGBT-modul. C(tum): 1600pF. Kostnad): 260pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 3 CH. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Antal terminaler: 17. Mått: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Vikt: 170g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 400 ns. Td(på): 70 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V