IGBT-moduler

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 21.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 685 ns. Td(på): 605 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G60T120. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 480 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 375W. Maximal kollektorström (A): 150A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Kapsling (JEDEC-standard): NINCS

C(tum): 1800pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: H30MR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 330 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.55V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktiv matlagning, mikrovågsugnar. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 825pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Märkning på höljet: GB14C40L. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8.3 ns. Td(på): 1.35 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 2.2V. Antal terminaler: 3. obs: > 6KV ESD Gate Protection. obs: integrerade motstånd R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. CE-diod: NINCS. Germanium diod: ja

C(tum): 3025pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 145 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 760pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Kollektorström: 480A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 226 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 9830pF. Kostnad): 570pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: HöghastighetsIGBT för 20-50kHz växling. Kollektorström: 310A. Ic(puls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Märkning på höljet: IXYK140N90C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 145 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1600pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Funktion: 3 CH. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Antal terminaler: 17. Mått: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Vikt: 170g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 400 ns. Td(på): 70 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2870pF. Kostnad): 295pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Märkning på höljet: GW20NC60KD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 164 ns. Td(på): 46 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 8000pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 74 ns. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: GW60V60DF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 375W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 216 ns. Td(på): 57 ns. Hölje: TO-247. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS