N-P MOSFET transistorpar

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: 4502C. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 28/35m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Antal per fodral: 2. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal. Spec info: ersätta MOSFET

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Resistans Rds På: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Teknik: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal per fodral: 2. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Idss: 1...5uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16.2/4.8 ns. Td(på): 6.4 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Antal per fodral: 2. obs: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: MOSFET transistor, Rds (ON) mycket låg. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Märkning på höljet: P605. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: 4501GM. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. obs: ID(AV)--N--9A P--8A. obs: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). obs: Vdss 30V (N), -30V (P)

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DIP-8. Hölje: DIP. Antal per fodral: 2. obs: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD TO-252-4L*. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Enhancement Mode DUAL MOSFET (N- och P-Channel) . Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. obs: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. obs: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. obs: Vds 30V & 30V

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: KNP. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Komplementärt parförbättringsläge MOSFET. Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Hölje (enligt datablad): SOT-363. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod KNP. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: 420. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P PowerTrench MOSFET. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): SUPERSOT-6. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. Funktion: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). obs: screentryck/SMD-kod 420

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: omplementary PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: N-kanalstransistor (Q1), P-kanalstransistor (Q2)

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

MOSFET transistor. C(tum): 760pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS