MOSFET transistor AP4506GEH. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. Driftstemperatur: -55...+150°C. Hölje (enligt datablad): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Kanaltyp: N-P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Obs: Vdss 30V (N), -30V (P). Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Teknik: N&P PowerTrench MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 11/12/2025, 02:24