IGBT-transistorer

IGBT transistor. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-218. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUP313. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 530 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Maximal kollektorström (A): 64A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. Typ av transistor: IGBT transistor. Kollektor-emitterspänning: 1200V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FGA40N65SMD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 650V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 120ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 174W. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Kapsling (JEDEC-standard): plaströr. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FGL40N120AND. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 500W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264-3L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7.5V. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 12N60A4. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.6V. Maximal förlust Ptot [W]: 167W. Maximal kollektorström (A): 96A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60A4. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 73 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 7V. Maximal förlust Ptot [W]: 290W. Maximal kollektorström (A): 280A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): 35 ns. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60A4D. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 73 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 7V. Maximal förlust Ptot [W]: 290W. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Maximal kollektorström (A): 280A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): UFS Series IGBT. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: HG20N60B3. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 220 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 165W. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G03H1202. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 281 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. Maximal kollektorström (A): 9.9A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. Typ av transistor: IGBT transistor. Dräneringskälla spänning: 1200V. Kollektorström: 50A. Effekt: 326W. Hölje: TO-247AC

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G60T120. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 480 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 375W. Maximal kollektorström (A): 150A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Kapsling (JEDEC-standard): NINCS

IGBT transistor. C(tum): 1800pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: H30MR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 330 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.55V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktiv matlagning, mikrovågsugnar. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

IGBT transistor. Typ av transistor: IGBT transistor. Kollektor-emitterspänning: 600V. Kollektorström: 40A. Effekt: 305W. Hölje: TO-247AC

IGBT transistor. Typ av transistor: IGBT transistor. Kollektor-emitterspänning: 600V. Kollektorström: 24A. Effekt: 110W. Hölje: TO-220AB

IGBT transistor. Typ av transistor: IGBT transistor. Dräneringskälla spänning: 1200V. Kollektorström: 50A. Effekt: 326W. Hölje: TO-247AC. Inbyggd diod: ja

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K25T1202. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 265 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.4V. Maximal förlust Ptot [W]: 349W. Maximal kollektorström (A): 100A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

IGBT transistor. Typ av transistor: IGBT transistor. Kollektor-emitterspänning: 1200V. Kollektorström: 82A. Effekt: 428W. Hölje: TO-247AC. Inbyggd diod: ja

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 43 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 64A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 54 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 180 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Td(av): 180 ns. Td(på): 54 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.27V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Maximal kollektorström (A): 32A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 38A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 38A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 39 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 93 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 52A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20U. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 21 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 86 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 52A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 42 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 230 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 56A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C