IGBT transistor IGW60T120. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 480 ns. C(tum): 3700pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 60A. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Driftstemperatur: -40...+150°C. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): PG-TO-247-3. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Ic(puls): 150A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorström: 100A. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 180pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 375W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: G60T120. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Pd (effektförlust, max): 375W. RoHS: ja. Td(av): 480 ns. Td(på): 50 ns. Tillverkarens märkning: G60T120. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35