IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 120ns. Collector Current IC [A]: 40A. Collector Peak Current IP [A]: 60.4k Ohms. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Hölje: TO-3PN. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 650V. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 174W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: FGA40N65SMD. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:39