IGBT transistor IGP03N120H2. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 281 ns. Collector Current IC [A]: 3A. Collector Peak Current IP [A]: 9.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Hölje: TO-220AB. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: G03H1202. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16