IGBT transistor IRG4BC30FDPBF
Kvantitet
Enhetspris
1+
76.35kr
| Antal i lager: 15 |
IGBT transistor IRG4BC30FDPBF. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 230 ns. Collector Current IC [A]: 31A. Collector Peak Current IP [A]: 60.4k Ohms. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Hölje: TO-220AB. Inkopplingstid ton [nsec.]: 42 ns. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: IRG4BC30FD. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16
IRG4BC30FDPBF
16 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
230 ns
Collector Current IC [A]
31A
Collector Peak Current IP [A]
60.4k Ohms
Gate haverispänning Ugs [V]
6V
Hölje
TO-220AB
Inkopplingstid ton [nsec.]
42 ns
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uce [V]
600V
Komponentfamilj
IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
100W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
IRG4BC30FD
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier