IGBT transistor HGTG20N60B3. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 220 ns. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 40A. Collector Peak Current IP [A]: 160A. Driftstemperatur: -40...+150°C. Funktion: UFS Series IGBT. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 20A. Ic(puls): 160A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 40A. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 165W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: HG20N60B3. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Pd (effektförlust, max): 165W. RoHS: ja. Spec info: Typisk hösttid 140ns vid 150°C. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Tillverkarens märkning: HG20N60B3. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19