IGBT transistor FGL40N120ANDTU

IGBT transistor FGL40N120ANDTU. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Kapsling (JEDEC-standard): plaströr. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FGL40N120AND. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 500W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264-3L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7.5V. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 12:25.