IGBT transistor FGL40N120ANDTU

IGBT transistor FGL40N120ANDTU. IGBT transistor. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264-3L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7.5V. C(tum): 3200pF. Kostnad): 370pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 75 ns. Funktion: UPS, AC/DC-motorkontroller och allmänna växelriktare. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 64A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Märkning på höljet: FGL40N120AND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. Spec info: NPT-Trench IGBT. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 21:25.