IGBT transistor FGL40N120ANDTU. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. C(tum): 3200pF. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 40A. Collector Peak Current IP [A]: 160A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: UPS, AC/DC-motorkontroller och allmänna växelriktare. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7.5V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Hölje (enligt datablad): TO-264-3L. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Ic(T=100°C): 40A. Ic(puls): 160A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorström: 64A. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 370pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 500W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FGL40N120AND. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V...3.15V. Pd (effektförlust, max): 500W. RoHS: ja. Spec info: NPT-Trench IGBT. Td(av): 110 ns. Td(på): 20 ns. Tillverkarens märkning: FGL40N120AND. Trr-diod (Min.): 75 ns. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41