IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1
Kvantitet
Enhetspris
1-1
151.75kr
2-3
136.14kr
4-5
124.08kr
6-29
112.50kr
30+
112.02kr
| Antal i lager: 7 |
IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Dräneringskälla spänning: 1200V. Effekt: 326W. Hölje: TO-247AC. Inbyggd diod: ja. Kollektorström: 50A. Typ av transistor: IGBT transistor. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 03:21
IKW25N120H3FKSA1
7 parametrar
Dräneringskälla spänning
1200V
Effekt
326W
Hölje
TO-247AC
Inbyggd diod
ja
Kollektorström
50A
Typ av transistor
IGBT transistor
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies