IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1
Kvantitet
Enhetspris
1-1
156.21kr
2-3
140.14kr
4-5
127.73kr
6-29
115.81kr
30+
115.32kr
| Antal i lager: 7 |
IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Dräneringskälla spänning: 1200V. Effekt: 326W. Hölje: TO-247AC. Inbyggd diod: ja. Kollektorström: 50A. Typ av transistor: IGBT transistor. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 15:30
IKW25N120H3FKSA1
7 parametrar
Dräneringskälla spänning
1200V
Effekt
326W
Hölje
TO-247AC
Inbyggd diod
ja
Kollektorström
50A
Typ av transistor
IGBT transistor
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies