IGBT transistor BUP313
Kvantitet
Enhetspris
1+
138.88kr
| Antal i lager: 40 |
IGBT transistor BUP313. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 530 ns. Collector Current IC [A]: 32A. Collector Peak Current IP [A]: 64A. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Hölje: TO-218. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. RoHS: nej. Tillverkarens märkning: BUP313. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16
BUP313
15 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
530 ns
Collector Current IC [A]
32A
Collector Peak Current IP [A]
64A
Gate haverispänning Ugs [V]
6.5V
Hölje
TO-218
Inkopplingstid ton [nsec.]
100 ns
Kollektor-emitterspänning Uce [V]
1.2 kV
Komponentfamilj
IGBT transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
200W
RoHS
nej
Tillverkarens märkning
BUP313
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon