IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1
Kvantitet
Enhetspris
1-4
314.26kr
5-9
295.29kr
10-19
288.90kr
20-49
283.16kr
50+
275.22kr
| +1 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 1 |
IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1. Avgift: 290nC. Collector Current IC [A]: 50A. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Effekt: 428W. Emitter - grindspänning: ±20V. Hölje: TO-247AC. Inbyggd diod: ja. Kollektor-emitterspänning: 1200V. Kollektorström: 82A. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 1200V. Typ av transistor: IGBT transistor. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 22:16
IKW50N120CS7XKSA1
13 parametrar
Avgift
290nC
Collector Current IC [A]
50A
Collector Peak Current IP [A]
150A
Effekt
428W
Emitter - grindspänning
±20V
Hölje
TO-247AC
Inbyggd diod
ja
Kollektor-emitterspänning
1200V
Kollektorström
82A
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
1200V
Typ av transistor
IGBT transistor
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies