IGBT transistor IKW25N120T2. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 265 ns. Collector Current IC [A]: 25A. Collector Peak Current IP [A]: 100A. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.4V. Hölje: TO-247. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 349W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: K25T1202. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:39