IGBT transistor IRG4BC20KDPBF
| +42 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 5 |
IGBT transistor IRG4BC20KDPBF. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 180 ns. C(tum): 450pF. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 16A. Collector Peak Current IP [A]: 32A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Kortslutningsklassad, ultrasnabb IGBT. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Hölje: TO-220. Ic(T=100°C): 9A. Ic(puls): 32A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 54 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 16A. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 61pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.8V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: G4BC20KD. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.27V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Td(av): 180 ns. Td(på): 54 ns. Tillverkarens märkning: IRG4BC20KD. Trr-diod (Min.): 37 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35