IGBT transistor HGTG20N60A4D. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 73 ns. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 70A. Collector Peak Current IP [A]: 280A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Gate haverispänning Ugs [V]: 7V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Ic(puls): 280A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 70A. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 290W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 20N60A4D. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Td(av): 73 ns. Td(på): 15 ns. Tillverkarens märkning: 20N60A4D. Trr-diod (Min.): 35 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19