N-kanals transistor HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): -. Ic(T=100°C): 60A. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 150 ns. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 75A. Collector Peak Current IP [A]: 240A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Gate haverispänning Ugs [V]: 7V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 240A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Kanaltyp: N. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 75A. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 463W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 30N60A4D. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Pd (effektförlust, max): 463W. RoHS: ja. Td(av): 150 ns. Td(på): 25 ns. Tillverkarens märkning: G30N60A4. Trr-diod (Min.): 30 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19