PNP bipolära transistorer

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. FT: 8 MHz. Funktion: S-L. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 60. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V

NPN-transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V

NPN-transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-39. Kapsling (JEDEC-standard): TO-39. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2905A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: förstärkare, switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V

NPN-transistor, 0.6A, 40V. Kollektorström: 0.6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. obs: >40. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): TO-18. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N2907A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 400mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: VHF förstärkare

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Hfe 100. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Ic(puls): 0.8A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF-S. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Si-Epitaxial PlanarTransistor. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3906. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39 ( TO-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150...500 MHz. Funktion: S. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.6A. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. C(tum): 30pF. Kostnad): 8.5pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, -50V, -50mA, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: -50V. Kollektorström: -50mA. Hölje: TO-92. Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 250. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 3V. Funktion: förförstärkare. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N5401. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 4 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: High Speed ​​​​Switching och linjär förstärkare. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N5886

NPN-transistor, 7A, 60V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. obs: hFE 20. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: TO-220AB

NPN-transistor, 2A, 225V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 225V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 35W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 275V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 20A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6287G. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-66. Hölje (enligt datablad): TO-66. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 15. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6488