NPN-transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

NPN-transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.83kr
50-99
0.73kr
100-199
0.65kr
200+
0.54kr
+4018 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 2021
Minimum: 10

NPN-transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Kollektorström: 0.6A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 600mA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 100 MHz. Frekvens: 400MHz. Få hfe: 240. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Komponentfamilj: PNP transistor. Konditionering: Ammo Pack. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 6pF. Max hFE-förstärkning: 240. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: 2N5401. Spänning (Collector - Emitter): 150V. Tillverkarens märkning: 2N5401. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N5401
41 parametrar
Hölje
TO-92
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226AA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
160V
Samlarström Ic [A], max.
600mA
Kollektorström
0.6A
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
600mA
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
100 MHz
Frekvens
400MHz
Få hfe
240
Gränsfrekvens ft [MHz]
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Komponentfamilj
PNP transistor
Konditionering
Ammo Pack
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
6pF
Max hFE-förstärkning
240
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.625W
Minsta hFE-förstärkning
50
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spec info
2N5401
Spänning (Collector - Emitter)
150V
Tillverkarens märkning
2N5401
Typ av transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2N5401