NPN-transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

NPN-transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.51kr
50-99
0.44kr
100-199
0.39kr
200+
0.33kr
+892 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 3161
Minimum: 10

NPN-transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 0.2A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 250 MHz. Förpackning: Ammo Pack. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Komponentfamilj: PNP transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 300. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 40V. Teknik: Si-Epitaxial PlanarTransistor. Tillverkarens märkning: 2N3906. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N3906
38 parametrar
Hölje
TO-92
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
40V
Samlarström Ic [A], max.
200mA
Kollektorström
100mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92Ammo-Pack
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
0.2A
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
250 MHz
Förpackning
Ammo Pack
Gränsfrekvens ft [MHz]
250 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Komponentfamilj
PNP transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
300
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.625W
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.25V
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
40V
Teknik
Si-Epitaxial PlanarTransistor
Tillverkarens märkning
2N3906
Typ av transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diodes Inc
Minsta kvantitet
10