FET- och MOSFET-transistorer

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-92, -20V, JFET, TO-92, 20V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Kapsling (JEDEC-standard): JFET. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 20V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N3820. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Komponentfamilj: P-kanal JFET transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 8V

P-kanal transistor, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. ID (T=25°C): 6mA. Idss (max): 6mA. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Antal per fodral: 1. Funktion: P-FET S. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-3P, -160V, -8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Drain-source spänning Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J119. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Gate haverispänning Ugs [V]: -5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1050pF. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 800pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 20A. Antal terminaler: 3. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS (F). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

P-kanal transistor, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 1040pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: P-CHANNEL POWER MOS FET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 205 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Förbättringsläge låg dräneringskälla vid motstånd". Id(imp): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: Silicon P Chanel Mos Fet. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. G-S Skydd: ja

P-kanal transistor, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 450pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. G-S Skydd: ja

P-kanal transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 720pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad skyddsdiod. Id(imp): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 23W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Teknik: P-kanal MOS fälteffekttransistor. G-S Skydd: ja

P-kanal transistor, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 500mA. Idss (max): 500mA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 120pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: komplementär transistor (par) 2SK216. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -40...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 15V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

P-kanal transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. IDss (min): 10mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Port-/källspänning Vgs: 14V. Spec info: komplementär transistor (par) ALF08N20V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 5uA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 933pF. Kostnad): 108pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 21 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 5.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Spec info: Drift gate spänning så låg som 2,5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2060pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.7W. Resistans Rds På: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4407A. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 5uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2330pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 49.5 ns. Td(på): 12.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

P-kanal transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Antal per fodral: 2. Teknik: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

P-kanal transistor, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 5uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 4360pF. Kostnad): 1050pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 39.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. IDss (min): 0.01uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 920pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 21.4 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Märkning på höljet: D405. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 24.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: komplementär transistor (par) AOD408. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 5uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 2977pF. Kostnad): 241pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Märkning på höljet: D409. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 32m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), DFN8, -30V, -36A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: DFN8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: 7401. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2060pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 25uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 35V. C(tum): 990pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: snabb växling, DC/DC-omvandlare. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1440pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 43 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 36W. Resistans Rds På: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 10A, 250uA, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Port-/källspänning Vgs: 25V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -45V, -0.09A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MX. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 25pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500nA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 45V. C(tum): 60pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. IDss (min): -0.23A. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Resistans Rds På: 14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP171P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 276 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, -30V, -3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP250.115. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 80 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 140 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C