P-kanal transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.61kr
5-49
8.42kr
50-99
7.10kr
100+
6.25kr
Antal i lager: 337

P-kanal transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 5uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2330pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. G-S Skydd: ja. ID (T=100°C): 10.5A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: P. Kostnad): 480pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 3W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 49.5 ns. Td(på): 12.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: FET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4427
30 parametrar
ID (T=25°C)
12.5A
Idss (max)
5uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2330pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Switching eller PWM-applikationer
G-S Skydd
ja
ID (T=100°C)
10.5A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
P
Kostnad)
480pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
3W
Port-/källspänning Vgs
25V
Resistans Rds På
0.0094 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
49.5 ns
Td(på)
12.8 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diod (Min.)
28 ns
Typ av transistor
FET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1.7V
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha & Omega Semiconductors