P-kanal transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-kanal transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.31kr
5-24
10.36kr
25-49
9.23kr
50-99
8.40kr
100+
7.20kr
Antal i lager: 24

P-kanal transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1440pF. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Funktion: -. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: P. Kostnad): 160pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 36W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Resistans Rds På: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 43 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
AP9575AGH
29 parametrar
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1440pF
Driftstemperatur
-55°C...+150°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
11A
IDss (min)
10uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
P
Kostnad)
160pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
36W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Resistans Rds På
0.064 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
45 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
Enhancement Mode Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
43 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Advanced Power