P-kanal transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

P-kanal transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
4.84kr
5-49
3.97kr
50-99
3.43kr
100-199
3.09kr
200+
2.60kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 211

P-kanal transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 5uA. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. : Förbättrad. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 7nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 933pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: -30V. Dräneringsström: -4A. Effekt: 1.4W. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±12V. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 25A. Kanaltyp: P. Kostnad): 108pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.4W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 12V. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Drift gate spänning så låg som 2,5V. Td(av): 42 ns. Td(på): 5.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 21 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52

Teknisk dokumentation (PDF)
AO3401A
39 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=25°C)
4.3A
Idss (max)
5uA
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spänning Vds(max)
30 v
Förbättrad
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
7nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
933pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
-30V
Dräneringsström
-4A
Effekt
1.4W
Funktion
Låg inmatningsavgift
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±12V
ID (T=100°C)
3.8A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
25A
Kanaltyp
P
Kostnad)
108pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1.4W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
12V
Resistans Rds På
0.036 Ohms
RoHS
ja
Spec info
Drift gate spänning så låg som 2,5V
Td(av)
42 ns
Td(på)
5.2 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
21 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.3V
Vgs(th) min.
0.6V
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha & Omega Semiconductors