P-kanal transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

P-kanal transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.37kr
5-24
17.66kr
25-49
14.90kr
50+
13.48kr
Antal i lager: 101

P-kanal transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 450pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. G-S Skydd: ja. Id(imp): 18A. Kanaltyp: P. Kostnad): 120pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Td(av): 52 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:26

Teknisk dokumentation (PDF)
2SJ584
24 parametrar
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (max)
100uA
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
250V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
450pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us
G-S Skydd
ja
Id(imp)
18A
Kanaltyp
P
Kostnad)
120pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
25W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Resistans Rds På
0.95 Ohms
Td(av)
52 ns
Td(på)
30 ns
Teknik
kisel MOSFET transistor
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo