P-kanal transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

P-kanal transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
28.65kr
5-9
23.91kr
10-24
21.54kr
25-49
19.83kr
50+
17.87kr
Antal i lager: 3

P-kanal transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1040pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) min.: 4 v. IDss (min): -. Id(imp): 24A. Kanaltyp: P. Kostnad): 360pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Td(av): 47 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: P-CHANNEL POWER MOS FET. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Nec. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:26

Teknisk dokumentation (PDF)
2SJ449
25 parametrar
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
100uA
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
250V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1040pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
SWITCHING, POWER MOS FET
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) min.
4 v
Id(imp)
24A
Kanaltyp
P
Kostnad)
360pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
35W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Resistans Rds På
0.55 Ohms
Td(av)
47 ns
Td(på)
24 ns
Teknik
P-CHANNEL POWER MOS FET
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Nec