P-kanal transistor 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Förbättringsläge låg dräneringskälla vid motstånd". G-S Skydd: ja. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 30W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 1 Ohm. Td(av): 70 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: Silicon P Chanel Mos Fet. Trr-diod (Min.): 205 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:26