P-kanal transistor 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 720pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: integrerad skyddsdiod. G-S Skydd: ja. Id(imp): 30A. Kanaltyp: P. Kostnad): 150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 23W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: P-kanal MOS fälteffekttransistor. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Nec. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:26