P-kanal transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

P-kanal transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
6.95kr
5-24
5.76kr
25-49
4.91kr
50-99
4.48kr
100+
3.73kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 193

P-kanal transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Hölje: SO. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Antal utgångar: 1. Avgift: 30nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2060pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: -30V. Dräneringsström: -12A, -10A. Effekt: 2W. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±25V. ID (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: P. Kostnad): 370pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Obs: screentryck/SMD-kod 4407A. Pd (effektförlust, max): 1.7W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 24 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4407A
37 parametrar
Hölje
SO
ID (T=25°C)
9.2A
Idss (max)
50uA
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Antal utgångar
1
Avgift
30nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2060pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
-30V
Dräneringsström
-12A, -10A
Effekt
2W
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±25V
ID (T=100°C)
7.4A
IDss (min)
10uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
P
Kostnad)
370pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Obs
screentryck/SMD-kod 4407A
Pd (effektförlust, max)
1.7W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
25V
Resistans Rds På
0.0085 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
24 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diod (Min.)
30 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1.7V
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha & Omega Semiconductors