Transistorer

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT558. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 0.2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT849. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT949. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 5.5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Spec info: Mycket låg mättnadsspänning

C(tum): 1800pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. IDss (min): n/a. Märkning på höljet: G60N04K. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Antal per fodral: 1. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1

C(tum): 1700pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå grindad transistor. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 39W. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: IDM--80A pulse. G-S Skydd: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Kollektorström: 3A. obs: hFE 100...400. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Spec info: TO-92

C(tum): 1450pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: P. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1C ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Antal terminaler: 3. Funktion: P-kanal MOS IGBT transistor. Spec info: ljudförstärkare. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: "Strömresonansväxelriktaromkoppling". Kollektorström: 30A. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 400 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P( GCE ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 4650pF. Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.3 ns. Td(på): 0.09 ns. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Kollektorström: 37A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.51 ns. Td(på): 0.33 ns. Hölje: TO-3P( N )IS. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Kollektorström: 24A. Ic(puls): 36A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 10V. Antal per fodral: 1. Spec info: 0.17...0.31us. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kanaltyp: N. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Märkning på höljet: 10N120BND. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 12N60A4. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.6V. Maximal förlust Ptot [W]: 167W. Maximal kollektorström (A): 96A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorström: 54A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Märkning på höljet: 12N60A4D. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 17 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.6V. Antal terminaler: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorström: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Märkning på höljet: G12N60C3D. Pd (effektförlust, max): 104W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 270 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60A4. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 73 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 7V. Maximal förlust Ptot [W]: 290W. Maximal kollektorström (A): 280A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): 35 ns. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60A4D. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 73 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 7V. Maximal förlust Ptot [W]: 290W. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Maximal kollektorström (A): 280A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): UFS Series IGBT. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: HG20N60B3. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 220 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 165W. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: G20N60B3D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 165W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typisk hösttid 140ns vid 150°C. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS Series IGBT. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: G30N60A4. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 463W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: TO-247. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: 30N60A4D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 463W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 25 ns. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 137 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 63A. Märkning på höljet: 40N60A4. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 145 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS