G60N04K

G60N04K. C(tum): 1800pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. IDss (min): n/a. Märkning på höljet: G60N04K. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.