GT35J321

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	82.65kr	103.31kr
2 - 2	78.52kr	98.15kr
3 - 4	74.38kr	92.98kr
5 - 9	70.25kr	87.81kr
10 - 15	68.60kr	85.75kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	82.65kr	103.31kr
2 - 2	78.52kr	98.15kr
3 - 4	74.38kr	92.98kr
5 - 9	70.25kr	87.81kr
10 - 15	68.60kr	85.75kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 15

Set med 1

GT35J321. Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Kollektorström: 37A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.51 ns. Td(på): 0.33 ns. Hölje: TO-3P( N )IS. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!