HGTG10N120BND

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	64.77kr	80.96kr
2 - 2	61.53kr	76.91kr
3 - 4	58.29kr	72.86kr
5 - 9	55.05kr	68.81kr
10 - 19	53.76kr	67.20kr
20 - 29	52.46kr	65.58kr
30 - 47	50.52kr	63.15kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	64.77kr	80.96kr
2 - 2	61.53kr	76.91kr
3 - 4	58.29kr	72.86kr
5 - 9	55.05kr	68.81kr
10 - 19	53.76kr	67.20kr
20 - 29	52.46kr	65.58kr
30 - 47	50.52kr	63.15kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 47

Set med 1

HGTG10N120BND. Kanaltyp: N. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Märkning på höljet: 10N120BND. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!