Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 64.77kr | 80.96kr |
2 - 2 | 61.53kr | 76.91kr |
3 - 4 | 59.59kr | 74.49kr |
5 - 9 | 58.29kr | 72.86kr |
10 - 19 | 57.00kr | 71.25kr |
20 - 29 | 55.05kr | 68.81kr |
30 - 47 | 53.11kr | 66.39kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 64.77kr | 80.96kr |
2 - 2 | 61.53kr | 76.91kr |
3 - 4 | 59.59kr | 74.49kr |
5 - 9 | 58.29kr | 72.86kr |
10 - 19 | 57.00kr | 71.25kr |
20 - 29 | 55.05kr | 68.81kr |
30 - 47 | 53.11kr | 66.39kr |
N-kanals transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG10N120BND. N-kanals transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 80A. Märkning på höljet: 10N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. Originalprodukt från tillverkaren Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 23:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.