HGTG12N60A4D

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	69.99kr	87.49kr
2 - 2	66.49kr	83.11kr
3 - 4	62.99kr	78.74kr
5 - 9	59.49kr	74.36kr
10 - 19	58.09kr	72.61kr
20 - 29	63.41kr	79.26kr
30 - 191	73.29kr	91.61kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	69.99kr	87.49kr
2 - 2	66.49kr	83.11kr
3 - 4	62.99kr	78.74kr
5 - 9	59.49kr	74.36kr
10 - 19	58.09kr	72.61kr
20 - 29	63.41kr	79.26kr
30 - 191	73.29kr	91.61kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 191

Set med 1

HGTG12N60A4D. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorström: 54A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Märkning på höljet: 12N60A4D. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 17 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.6V. Antal terminaler: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!