Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 105.34kr | 131.68kr |
2 - 2 | 100.08kr | 125.10kr |
3 - 4 | 97.97kr | 122.46kr |
5 - 9 | 94.81kr | 118.51kr |
10 - 14 | 92.70kr | 115.88kr |
15 - 19 | 89.54kr | 111.93kr |
20 - 76 | 96.55kr | 120.69kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 105.34kr | 131.68kr |
2 - 2 | 100.08kr | 125.10kr |
3 - 4 | 97.97kr | 122.46kr |
5 - 9 | 94.81kr | 118.51kr |
10 - 14 | 92.70kr | 115.88kr |
15 - 19 | 89.54kr | 111.93kr |
20 - 76 | 96.55kr | 120.69kr |
IGBT transistor HGTG20N60A4D. IGBT transistor. RoHS: ja. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 35 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Märkning på höljet: 20N60A4D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 290W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 73 ns. Td(på): 15 ns. Originalprodukt från tillverkaren Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 07:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.