HGTG30N60A4D

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	126.87kr	158.59kr
2 - 2	120.52kr	150.65kr
3 - 4	114.18kr	142.73kr
5 - 9	107.84kr	134.80kr
10 - 14	105.30kr	131.63kr
15 - 19	102.76kr	128.45kr
20 - 78	98.96kr	123.70kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	126.87kr	158.59kr
2 - 2	120.52kr	150.65kr
3 - 4	114.18kr	142.73kr
5 - 9	107.84kr	134.80kr
10 - 14	105.30kr	131.63kr
15 - 19	102.76kr	128.45kr
20 - 78	98.96kr	123.70kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 78

Set med 1

HGTG30N60A4D. RoHS: ja. Hölje: TO-247. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: 30N60A4D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 463W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 25 ns. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 08:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!