N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V - GT30J324

N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V - GT30J324. N-kanals transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4650pF. Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.3 ns. Td(på): 0.09 ns. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.45V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 09:25.