HGTG20N60B3D

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	93.89kr	117.36kr
2 - 2	89.20kr	111.50kr
3 - 3	84.50kr	105.63kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	93.89kr	117.36kr
2 - 2	89.20kr	111.50kr
3 - 3	84.50kr	105.63kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 3

Set med 1

HGTG20N60B3D. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: G20N60B3D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 165W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typisk hösttid 140ns vid 150°C. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 07:25.

Teknisk dokumentation

Motsvarande produkter :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!