Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 91.61kr | 114.51kr |
2 - 2 | 87.03kr | 108.79kr |
3 - 4 | 85.20kr | 106.50kr |
5 - 9 | 82.45kr | 103.06kr |
10 - 19 | 80.62kr | 100.78kr |
20 - 29 | 77.87kr | 97.34kr |
30 - 39 | 75.12kr | 93.90kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 91.61kr | 114.51kr |
2 - 2 | 87.03kr | 108.79kr |
3 - 4 | 85.20kr | 106.50kr |
5 - 9 | 82.45kr | 103.06kr |
10 - 19 | 80.62kr | 100.78kr |
20 - 29 | 77.87kr | 97.34kr |
30 - 39 | 75.12kr | 93.90kr |
N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P( GCE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: "Strömresonansväxelriktaromkoppling". Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 400 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 22:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.